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南瑞IGBT模块H系列
发布时间:2024-03-09

南瑞IGBT模块H系列产品列表

型号

VCES

IC@Tc=100℃,Tvj=Tvjmax

Vce(sat)

Vf

Tvjopmax

封装

NI1200S45H4K1

4500V

1200A

2.7

2.6

125℃

H4

NI800S45H3K1

4500V

800A

2.7

2.6

125℃

H3

NI1500S33H2K1

3300V

1500A

2.45

2.1

150℃

H2

NI1000S33H1K1

3300V

1000A

2.45

2.1

150℃

H1

NI3600S17H2K1

1700V

3600A

2.69

1.75

150℃

H2

产品特点

•IGBT低导通压降 •IGBT/FRD芯片正温度系数

•IGBT低开关损耗 •IGBT/FRD芯片最高结温175℃

•高可靠性

应用场景

风电变流器 中压变频器 中压SVG 集中式光伏逆变器 制氢电源 新能源汽车

产品应用案例

3300V/1500A IGBT模块

在厦门柔直工程±320kV/100OMw鹭岛换流站中成功应用 

南瑞IGBT模块详细参数,可以点击 https://www.sunon-wh.com/fan_detail_158.html 查看。

南瑞IGBT授权代理商--武汉新瑞科,备有大量南瑞IGBT模块现货,欢迎选用。