2024/11/26 02:41:27 星期二 | English
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来源：英飞凌工业半导体
EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。
相关器件：
▪️ FS33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V 三相桥
▪️ FS33MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 三相桥低热阻版本
▪️ FS28MR12W1M1H_B11
28mΩ 1200V 三相桥
▪️ FF55MR12W1M1H_B11
55mΩ 1200V 半桥
▪️ FF55MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 半桥低热阻版本
产品特点
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B封装
非常低的模块寄生电感
RBSOA反向工作安全区宽
栅极驱动电压窗口大
PressFIT引脚
应用价值
扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V
在过载条件下，Tvjop最高可达175°C
最佳的性价比，可降低系统成本
可工作在高开关频率，并改善对冷却要求
竞争优势
扩展现有产品系列
半桥模块和三相桥模块
带或不带预涂导热材料TIM模块版本
提供标准DCB和高性能DCB
应用领域
电机控制和驱动
伺服电机驱动和控制
电动汽车充电
