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南瑞SIC MOSFET及二极管分立器件产品
发布时间:2024-03-09

SIC MOSFET分立器件产品列表

型号

VDSS(V)

RDS(0N)(mΩ)

IDA

VGSTH(V)

IDSS(μA)

TVJOP()

封装

NCM45S17T3K1

1700V

28

105

3.1

2

175

TO-247-3L

NCM40S12T4K2

1200V

38

88

3.2

1

175

TO-247-4L

NCM40S12T3K2

1200V

38

88

3.2

1

175

TO-247-3L

NCM32S12T4K2

1200V

32

77

2.6

1

175

TO-247-4L

SIC SBD分立器件产品列表

型号

VRRMV

IF(A)

VF(V)

IR(μA)

TVJOP()

封装

NCD40S12T3K2

1200V

20*2

1.48

5

175

TO-247-3L

NCD30S12T2K2

1200V

30

1.48

5

175

TO-247-2L

NCD20S12T2K2

1200V

20

1.48

5

175

TO-247-2L

产品特点

第二代SIC MOSFET技术

高阻断电压/低导通电阻

高开关速度/低电容

低反向恢复快速本征二极管

雪崩耐量强

应用场景

光伏发电  新型储能 UPS电源 充电设施

产品应用案例

1200V/20A SiC二极管产品

在天津津门湖综合能源示范站成功投运


 


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